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您正在设计一个需要处理大电流、高功率的开关电源或电机驱动方案吗？STB60NF10-1正是为您应对这类挑战而准备的利器。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和高达80A的连续电流处理能力，能轻松担当系统主功率开关的重任。

其核心价值在于卓越的效率。得益于STripFET II技术，它在10V驱动下导通电阻极低，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，坚固的I2PAK通孔封装和宽达-55°C至175°C的工作温度范围，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定可靠地工作，大大提升了您最终产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STB60NF10-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB60NF10-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。