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还在为高压小功率开关电路寻找那颗“恰到好处”的芯片吗？STD2NK70ZT4正是为您量身打造的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达700V的耐压和1.6A的电流处理能力，让您在设计工业电源适配器、LED驱动或家电辅助电源时，轻松应对高压挑战，同时保持系统的高效与紧凑。

它采用了先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻和栅极电荷。这意味着在开关过程中，能量损耗更少，发热量更低，从而让您的产品能效更高，运行更稳定可靠。其DPAK封装易于焊接和散热，45W的功率耗散能力为您提供了充足的设计余量。

总而言之，STD2NK70ZT4以其坚固的性能、高效的开关特性和便捷的封装，成为高压、小电流开关应用的理想选择，助您快速实现高性能、高可靠性的电源设计。

• 型号:STD2NK70ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 800mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2NK70ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。