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您是否希望为您的电源或电机驱动项目找到一颗既能承受高压大电流，又能保持高效低温运行的“心脏”？STW63N65DM2正是为此而生！

这颗采用先进FDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和60A的强大电流处理能力，让您轻松驾驭服务器电源、工业变频器、UPS等高性能应用。其优化的设计显著降低了开关损耗，意味着您的系统可以运行得更凉爽、更高效，直接帮助您提升产品能效等级并简化散热设计。

选择STW63N65DM2，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障，让您的设计在可靠性与先进性上双双领先。

• 型号:STW63N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 65A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW63N65DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。