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还在寻找一颗能同时驾驭高压与大电流，且运行高效、稳定的功率开关吗？STP18N55M5正是为您而生的答案。这颗采用意法半导体先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有550V的耐压和16A的电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或光伏逆变器时，轻松应对高压侧开关的严峻挑战。

它的核心价值在于卓越的效率。极低的导通电阻与栅极电荷，意味着更少的传导损耗和开关损耗，直接为您带来更高的系统能效和更低的温升。高达110W的耗散功率和150°C的工作结温，则赋予了它强大的鲁棒性，确保您的产品在复杂工况下长期稳定运行。选择STP18N55M5，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STP18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18N55M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。