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您正在寻找一颗能扛起高压开关重任的“硬核”芯片吗？STP9NK60ZD正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有高达600V的漏源击穿电压和7A的连续电流承载能力，专为要求苛刻的功率转换场景设计。它能让您的电源、电机驱动或照明系统，在面对高压冲击时稳如泰山，实现高效、可靠的能量控制。

得益于ST先进的SuperFREDmesh技术，它实现了低至950毫欧的导通电阻和优化的动态性能。这意味着更低的传导损耗和更快的开关速度，直接帮助您提升整体系统效率，减少热量产生。其坚固的TO-220AB封装和宽达-55°C至150°C的工作结温，让您轻松应对各种复杂环境，确保产品长期稳定运行。

• 型号:STP9NK60ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK60ZD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。