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您正在寻找一颗能扛起大电流开关重任、同时保持高效冷静的功率MOSFET吗？STW60NE10正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达60A的连续电流处理能力，其核心价值在于采用STripFET技术，实现了极低的导通电阻，能显著减少开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对高功率密度设计。TO-247-3封装提供了卓越的散热性能，结合高达180W的功率耗散能力，确保器件即使在重载条件下也能稳定工作。无论是提升能效、简化热管理，还是追求系统长期可靠性，STW60NE10都能成为您设计中值得信赖的功率开关选择。

• 型号:STW60NE10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:185 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW60NE10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。