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还在为嵌入式系统的数据存储空间和速度发愁吗？让NAND512R3A3AZA6E来为您解决！这颗由ST意法半导体出品的512Mb（64M x 8）并行接口NAND闪存芯片，是您实现高效、稳定数据存储的得力助手。

它拥有高达60ns的快速访问与写入能力，配合1.7V~1.95V的低电压工作范围，能显著降低系统整体功耗，提升响应效率。其坚固的55-TFBGA封装和宽广的-40°C至85°C工作温度范围，确保您的产品即使在苛刻的工业或车载环境中也能稳定运行，可靠地守护每一比特重要数据。

• 制造商产品型号：NAND512R3A3AZA6E
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Mb（64M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：60ns
• 访问时间：60ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：55-TFBGA
• NAND512R3A3AZA6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。