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还在为射频前端电路的功率与效率平衡而纠结吗？让PD55003S-E为您提供一站式的高效解决方案。这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频FET，专攻500MHz高频段，能轻松将微小信号放大17dB，输出高达3W的稳定功率，让您的通信或射频设备拥有清晰、强劲的“声音”。

它采用先进的PowerSO-10封装，散热出色，配合40V的高耐压和2.5A的电流能力，确保您在复杂的应用环境中也能游刃有余。无论是提升现有产品性能，还是开发新一代射频系统，PD55003S-E都是您实现高效、可靠设计的得力伙伴，助您轻松攻克功率放大挑战。

• 型号:PD55003S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:3W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD55003S-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。