我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW5NK100Z现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

在追求极致能效与可靠性的道路上，您是否渴望一颗能同时驾驭高压与高效开关的功率开关？STW5NK100Z正是为此而生。它基于ST先进的SuperMESH3技术，拥有1000V的坚固耐压和3.5A的连续电流能力，旨在让您轻松应对工业电源、新能源逆变等高压应用中的严峻挑战。

这颗芯片能为您做什么？它通过显著降低导通电阻和优化栅极电荷，大幅削减了功率损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。其卓越的开关特性有助于提升整体频率响应，简化驱动电路设计。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高性能电源方案，STW5NK100Z都能为您提供坚实的核心动力，让高效可靠的功率转换触手可及。

• 型号:STW5NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW5NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。