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还在为复杂的MOSFET驱动电路烦恼吗？让L6747C来简化一切！这颗来自ST意法半导体的高效半桥栅极驱动器，专为驱动N沟道MOSFET而生，它能以高达3.5A的强大峰值电流，让您的功率开关管以极速响应，大幅提升电源转换效率，同时有效抑制开关噪声。

它集成了非反相输入、宽电压兼容（5V-12V供电）等贴心设计，让您能轻松对接各类控制器，快速构建从工业电机驱动到高端服务器电源的同步整流或半桥电路。其紧凑的8-VFDFN封装更让您在有限空间内也能布局出高性能的电源模块，是您提升产品功率密度与可靠性的理想选择。

• 型号:L6747C
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-VFDFPN（3x3）
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:5V ~ 12V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-VFDFPN（3x3）
• L6747C，ST（意法半导体）产品一站式供应商。