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还在为高压开关应用的效率瓶颈烦恼吗？STD6NK50ZT4就是您期待的解决方案。这颗基于意法半导体先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V的漏源电压和5.6A的连续电流处理能力，能轻松胜任各种高压开关任务。其核心价值在于极低的导通电阻（仅1.2欧姆）和优化的栅极电荷，这直接为您带来更低的传导损耗和开关损耗，让您的电源设计效率更高，发热更少。

这意味着，您可以简化散热设计，让产品结构更紧凑，同时获得更稳定的长期运行性能。无论是用于开关电源、电机驱动还是照明系统，STD6NK50ZT4都能让您以更高的能效和可靠性，从容应对挑战，助力您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STD6NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6NK50ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。