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您是否正在为高功率应用寻找一颗既能扛住高压大电流，又能保持高效冷静的MOSFET？STW56N60M2-4正是为您而来。它基于ST先进的MDmesh M2技术，拥有600V的坚固耐压和52A的强大电流处理能力，其超低的55毫欧导通电阻能显著减少能量损耗，让您的电源转换效率大幅提升。

这颗芯片的卓越之处在于，它通过优化的动态特性，如更低的栅极电荷，让开关过程更快、更干净，从而降低开关损耗和电磁干扰。高达350W的功率耗散能力和150°C的工作结温，让它在严苛环境下也能稳定运行。选择它，就是为您的工业电源、电机驱动或新能源系统注入一颗高效、可靠的心脏，轻松实现更紧凑、更节能的设计目标。

• 型号:STW56N60M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW56N60M2-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。