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还在为功率开关的损耗和温升问题烦恼吗？让STL117N4LF7AG为您带来焕然一新的高效体验。这颗车规级N沟道MOSFET拥有119A的强大电流承载能力和低至3.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电机驱动、电源转换或负载管理应用运行得更凉爽、更节能。

它采用先进的STripFET F7技术，开关性能优异，能轻松应对高频工作场景，提升系统整体效率。同时，其紧凑的PowerFlat封装为您节省布局空间，并优化散热。无论是面对严苛的汽车环境还是高强度的工业应用，它都能提供稳定可靠的性能，让您的设计更具竞争力。

• 型号:STL117N4LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 119A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):119A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1780 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:94W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL117N4LF7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。