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您正在设计一款需要处理高功率、同时又对效率极为苛刻的电源或驱动方案吗？STW48N60M6-4正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和39A的强劲电流处理能力，其核心优势在于极低的69毫欧导通电阻与优化的栅极电荷。这直接意味着，在您的电路中，它能大幅降低导通与开关损耗，让电能转换更高效，发热更少。

无论是构建紧凑型服务器电源、高功率工业电机驱动器，还是下一代电动汽车充电模块，它都能让您轻松应对。优异的性能参数结合TO-247-4封装出色的散热特性，确保您的系统在-55°C至150°C的宽温范围内稳定运行，实现更高的功率密度和可靠性。选择STW48N60M6-4，就是选择了一个让设计更简单、性能更出众的强力核心。

• 型号:STW48N60M6-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 39A TO247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2578 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW48N60M6-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。