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您是否正在寻找一颗能在高压应用中兼顾高效率与高可靠性的“硬核”开关？STP11NM80正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和11A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机驱动或工业照明系统时，轻松应对高压挑战，同时大幅降低导通损耗。

它的核心价值在于卓越的性能平衡。在10V驱动下，仅400毫欧的超低导通电阻意味着更少的能量浪费和发热，直接提升您的系统整体能效。同时，优化的栅极电荷设计确保了快速干净的开关动作，让您的电源工作得更安静、更高效。TO-220AB的经典封装形式，则提供了出色的散热能力和便捷的安装体验。

选择STP11NM80，就是为您的产品选择了一份来自ST意法半导体的品质承诺。它能在-65°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，是构建坚固耐用、性能卓越的功率转换系统的理想基石。

• 型号:STP11NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NM80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。