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您正在寻找一颗能同时兼顾高压、高效与可靠性的功率开关器件吗？STF3N62K3正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有620V的漏源击穿电压和2.7A的连续电流能力，核心价值在于其超凡的能效表现。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的传导损耗，而优化的栅极电荷则大幅降低了开关损耗，让您的电源或电机驱动系统轻松实现更高的整体效率。

更重要的是，它能让您的设计工作变得异常简单高效。其10V的标准驱动电压与广泛的Vgs耐受范围（±30V），让驱动电路设计更加灵活可靠。出色的热性能（20W功耗能力，150°C结温）配合TO-220FP封装，确保了在持续高负载下的稳定运行。选择STF3N62K3，就是选择让您的产品在性能、功耗和可靠性上全面领先。

• 型号:STF3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。