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还在为高压应用的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STI18N60M2来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，专为高效功率转换而生。它能轻松胜任600V高压下的快速开关任务，高达9A的电流处理能力让您的电源设计游刃有余。

采用坚固的I2PAK封装，它不仅提供了出色的电气隔离和散热性能，更能让您在紧凑的空间内实现高功率密度布局。无论是提升现有产品的能效，还是开发新一代的电机驱动、电源适配器，选择它，就是选择了一份可靠与高效，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STI18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK
• 系列:*
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• STI18N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。