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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时还能保持出色效率的功率开关吗？STF15NM65N正是为此而生。它集650V高耐压与12A连续电流能力于一身，凭借MDmesh II技术，实现了极低的导通电阻与栅极电荷，让您的电源转换效率大幅提升，热能损耗显著降低。

这颗芯片能轻松胜任开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）、电机驱动及照明镇流器等应用。其快速的开关特性有助于减小磁性元件尺寸，优化系统成本与体积。选择它，就是为您的设计注入了高效与可靠的核心动力，让产品性能脱颖而出。

• 型号:STF15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF15NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。