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还在为功率转换效率的瓶颈而烦恼吗？STW45N65M5正是为您突破极限而生的利器。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V高耐压和35A大电流能力，其核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。它通过极低的78毫欧导通电阻，大幅减少导通损耗，让电能传输更顺畅；同时，优化的开关特性帮助您有效降低系统发热，提升整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的服务器电源、太阳能逆变器或电机驱动设备，在保持紧凑尺寸的同时，轻松应对更高的功率等级和更严苛的工作环境。其坚固的TO-247封装和高达210W的耗散功率，确保了出色的散热性能和长期稳定性。选择STW45N65M5，就是选择用一颗芯片的强大内“芯”，驱动您整个项目的卓越表现。

• 型号:STW45N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3375 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW45N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。