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您正在寻找一颗能简化高压侧开关设计、同时兼顾高效与可靠的P沟道MOSFET吗？STU10P6F6正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的功率器件，集成了60V耐压和10A持续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗在10V驱动下导通电阻仅160毫欧，让您的电源转换或电机驱动电路效率显著提升，热量大幅减少。

它采用成熟的STripFET VI技术，开关速度快，栅极电荷（Qg）低至6.4nC，这意味着您可以实现更高效的开关控制，减少驱动电路的负担。高达175°C的结温工作能力，确保了它在严苛环境下的稳定表现。无论是用于电源管理、负载开关还是电池保护电路，STU10P6F6都能让您的设计更稳健、更高效，轻松应对各种功率控制挑战。

• 型号:STU10P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU10P6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。