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您是否正在寻找一颗能够大幅提升电源效率、同时节省宝贵电路板空间的P沟道MOSFET？STL45P3LLH6就是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或电池管理系统运行得更凉爽、更高效。

凭借其出色的13毫欧低导通电阻，它能显著降低导通损耗，将更多电能用于驱动负载而非转化为热量。同时，优化的栅极电荷让开关速度更快、损耗更低，轻松应对高频应用。其紧凑的PowerFlat封装，让您在追求高性能的同时，毫不妥协于设计尺寸，助您打造出更轻薄、更强大的终端产品。

• 型号:STL45P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 45A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2615 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL45P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。