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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？STB13N80K5正是为您而来的答案。这颗基于意法半导体先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V/12A的强悍规格，其超低的450毫欧导通电阻和29nC栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源设计轻松实现更高的功率密度和能源效率。

它能让您的产品，无论是工业电源、UPS、光伏逆变器还是电机驱动，都运行得更凉爽、更安静、更可靠。其坚固的D2PAK封装和宽泛的工作温度范围，确保了在恶劣环境下依然表现稳定，大幅提升系统整体寿命。选择STB13N80K5，就是选择让您的设计在性能与可靠性上双双赢得先机。

• 型号:STB13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB13N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。