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还在为高电压应用中的功率损耗和散热问题头疼吗？STW40N95DK5 N沟道MOSFET正是您的高效解决方案。它拥有950V的惊人耐压和38A的连续电流能力，基于意法半导体先进的MDmesh DK5技术，能显著降低导通电阻，从而大幅减少能量损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对严苛的工业环境与持续的高功率需求。优异的开关特性（低栅极电荷）意味着更快的切换速度和更低的驱动损耗，帮助您优化整体电路设计。其坚固的TO-247封装确保了出色的散热性能，结合宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），为您产品的长期稳定运行提供了坚实保障。

• 型号:STW40N95DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW40N95DK5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。