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您正在寻找一颗能扛起高压重任、同时保持冷静高效的功率开关吗？STP6N90K5正是为此而生。这颗采用MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有900V的惊人耐压和6A的电流处理能力，旨在让您轻松驾驭开关电源、电机驱动等高压应用场景。

它的核心价值在于卓越的能效表现。凭借优化的技术，它在10V驱动下可实现低至1.1欧姆的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。TO-220封装提供了强大的散热能力，结合高达110W的功率耗散上限，确保其在繁重工作中依然稳定可靠。选择它，就是为您的设计选择了一份高效与耐久的双重保障。

• 型号:STP6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。