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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任的核心器件吗？STP12NK60Z正是为此而生！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达600V的漏源电压和10A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机驱动等应用时，面对高压环境也能从容不迫，轻松实现高效的能量控制。

它的魅力在于细节：极低的导通电阻（典型值）意味着更小的导通损耗，直接提升系统整体能效；优化的栅极电荷和电容特性，让开关速度更快，损耗更低。TO-220AB封装确保了强大的散热能力，结合高达150°C的结温，让您的设备在严苛环境下也能稳定运行。选择STP12NK60Z，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效，让您的产品动力核心更强劲、更耐用。

• 型号:STP12NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:640 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1740 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。