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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STW40N60M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和34A的连续电流能力，其核心魅力在于高达250W的功率处理能力和低至88毫欧的导通电阻。

这意味着它能轻松应对工业驱动、电源转换等场景中的严峻挑战，大幅降低导通损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。优化的开关特性进一步帮助您提升频率、缩小磁性元件体积，从而实现更紧凑、更具竞争力的产品设计。选择STW40N60M2，就是为您的功率应用注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:STW40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW40N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。