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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STP8N90K5来为您轻松化解！这颗N沟道高压MOSFET，凭借其900V的耐压和8A的电流能力，能成为您电源、电机驱动或照明系统中高效能量转换的核心开关。

它采用了ST先进的MDmesh K5技术，显著优化了动态性能，帮助您大幅降低开关损耗，提升整体系统效率。同时，TO-220封装和130W的功率处理能力，让您的散热设计更简单，系统运行更稳定可靠。

选择它，就是选择了一条通往更高性能、更优能效的捷径，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STP8N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。