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您正在寻找一颗能大幅提升电源效率、让系统运行更凉爽可靠的功率开关吗？STW34NM60N正是您期待的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和29A高电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少功率损耗，直接帮助您设计出更节能、散热要求更低的产品。

它能让您轻松应对工业驱动、服务器电源等高要求场景，其优化的开关特性确保了高效、稳定的性能表现。高达250W的功率耗散能力和150°C的工作结温，更为您的设备在严苛环境下长期可靠运行提供了坚实保障。选择STW34NM60N，就是为您的产品注入高效与耐用的强大基因。

• 型号:STW34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW34NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。