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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，并保持出色效率的功率开关吗？STGW15M120DF3正是您的理想之选。这颗1200V/30A的沟槽型场截止IGBT，旨在让您的电源转换或电机驱动设计更高效、更可靠。

它凭借仅2.3V的低导通压降和优化的开关特性（550J开启，850J关断），能显著降低系统损耗与发热，让您的设备运行更凉爽、能效比更高。高达259W的功率处理能力和175°C的最大结温，确保了它在苛刻环境下依然稳定如山。选择它，就是为您的产品选择了一个强劲、耐用且高效的动力核心。

• 型号:STGW15M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:550J（导通），850J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:226 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns
• 测试条件:600V，15A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):270 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW15M120DF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。