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您正在为高功率应用寻找一颗既能扛住高压大电流，又能保持高效冷静的“心脏”吗？STW32N65M5正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有650V的耐压和24A的电流处理能力，其核心的MDmesh V技术带来了极低的导通电阻（仅119毫欧），能显著降低功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数强悍，更注重实际表现。优化的开关特性让您能轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，提升功率密度。高达150W的耗散功率和宽工作温度范围，确保了它在严苛环境下的长期稳定。选择STW32N65M5，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的“芯”，轻松应对从工业电源到高端设备驱动的各种挑战。

• 型号:STW32N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW32N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。