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还在为射频系统的功率与效率瓶颈而烦恼吗？让SD56120C为您带来改变！这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，是您实现高性能放大的得力助手。它能在860MHz频率下，轻松输出高达100W的功率，并具备16dB的优异增益，让您的信号传输更强劲、更远距。

它采用坚固的M246封装，支持高达72V的工作电压和14A的电流，确保系统在严苛环境下依然稳定运行。无论是基站通信还是工业射频应用，SD56120C都能让您轻松构建高效、可靠的解决方案，显著提升设备整体性能。

• 制造商产品型号：SD56120C
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：FET RF 72V 860MHZ M246
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：LDMOS
• 频率：860MHz
• 增益：16dB
• 电压-测试：28V
• 额定电流（安培）：14A
• 噪声系数：-
• 电流-测试：400mA
• 功率-输出：100W
• 电压-额定：72V
• 封装：M246
• SD56120C，ST（意法半导体）产品一站式供应商。