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您正在寻找一颗能扛起高功率开关重任，同时保持冷静高效的“核心引擎”吗？STD22NM20NT4正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有200V的坚固耐压和22A的强大电流吞吐能力，专为 demanding 的电源转换和电机控制应用而优化。

它采用了ST先进的MDmesh II技术，实现了105毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让电能传输更高效。同时，其优化的动态参数（如栅极电荷）让开关动作又快又准，有效降低开关损耗。这意味着，您能轻松构建出效率更高、发热更少、体积更紧凑的电源系统，全面提升终端产品的性能和可靠性。

• 型号:STD22NM20NT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 22A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD22NM20NT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。