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您正在设计需要处理高达200V电压和30A电流的电源或电机控制项目吗？STW30NF20正是为您而来的高效功率开关。它基于ST意法半导体成熟的STripFET技术打造，核心使命是让您的系统运行得更“冷静”、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它通过极低的导通电阻（典型值75毫欧）大幅减少开关过程中的能量损耗，将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其TO-247-3封装提供了强大的散热能力，确保在125W的高功率耗散下依然稳定。无论是驱动电机、管理电源转换，还是控制照明，STW30NF20都能让您轻松应对高压大电流挑战，提升产品整体可靠性和能效表现。

• 型号:STW30NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30NF20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。