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还在为高压开关应用的效率瓶颈而困扰吗？STP8NM60ND正是为您破解难题而来。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和7A的强大电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明系统时，能够轻松实现高效的能量转换。

它的核心价值在于卓越的性能平衡：低至700毫欧的导通电阻显著降低了功率损耗，而优化的栅极电荷确保了快速的开关响应。这意味着您的设备不仅能运行得更“冷静”、更节能，还能在高达150°C的结温下稳定工作，可靠性大幅提升。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的高性能保障。

• 型号:STP8NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。