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还在为射频功率放大模块的尺寸、效率和散热问题头疼吗？让PD20015-E来为您解决！这颗强大的LDMOS射频功率晶体管，能在高达2GHz的频率下，轻松输出15W的强劲功率，并带来11dB的高增益，让您的信号放大链路设计前所未有的简洁高效。

它采用先进的PowerSO-10RF封装，优异的散热设计让您无需再为高温降额而过度设计散热系统。无论是用于专业通信设备、工业传感还是测试测量仪器，PD20015-E都能提供稳定可靠的性能核心，大幅提升您终端产品的竞争力和可靠性，让创新设计轻松落地。

• 型号:PD20015-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:350 mA
• 功率 - 输出:15W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD20015-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。