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您正在设计需要处理高压大电流的电源或电机驱动方案吗？STW28NM60ND正是为您而来的高效功率开关。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和23A的连续电流处理能力，其核心价值在于FDmesh II技术带来的极低导通电阻（仅150毫欧），能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它能让您轻松应对严苛的工业环境，高达190W的功率耗散和150°C的结温确保了卓越的可靠性。同时，优化的栅极电荷特性让开关速度更快，损耗更低，简化您的驱动设计。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的强大基因。

• 型号:STW28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。