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还在为高功率应用的效率瓶颈和散热挑战烦恼吗？让STH240N75F3-6为您开启高效节能的新篇章。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集成了STripFET III先进技术，拥有75V耐压和高达180A的连续电流处理能力，其核心魅力在于超低的3毫欧导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让开关速度更快，损耗更小，配合H2PAK-6封装出色的散热性能，轻松应对300W的功率耗散。无论是用于数据中心服务器电源、工业自动化设备，还是新能源领域的车载充电，它都能让您轻松实现更高的功率密度和系统可靠性，显著提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:STH240N75F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH240N75F3-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。