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想象一下，您的电源或电机驱动设备需要一颗既能承受600V高压冲击，又能流畅通过24A大电流的“心脏”，同时还要保持冷静高效、经久耐用。STW28N60M2正是为此而生的高性能N沟道MOSFET。它采用ST先进的MDmesh II Plus技术，能为您大幅降低导通和开关损耗，轻松提升整体系统效率。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其极低的导通电阻（150mΩ @12A,10V）意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的设备运行更凉爽、更节能。优化的动态特性帮助您简化驱动电路设计，并有效控制电磁干扰，确保系统稳定可靠。无论是用于工业电源、光伏逆变器还是电机控制，它都能帮助您打造出性能更强、体积更小、寿命更长的领先产品。

• 型号:STW28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。