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还在为寻找一颗能在870MHz频段提供强劲、稳定射频动力的核心器件而烦恼吗？PD85015STR-E正是为您而来的解决方案。这颗由意法半导体打造的LDMOS射频功率晶体管，旨在让您的设计轻松驾驭15W的输出功率，其高达16dB的增益能显著放大您的信号，确保链路末端依然强劲有力。

它采用坚固的PowerSO-10RF封装，优异的散热设计让您无需担心高温下的性能衰减，40V的高耐压特性更提供了宽裕的安全余量。无论是构建专业的无线通信设备，还是升级现有的射频前端，PD85015STR-E都能以高效、可靠的表现为您的产品赋能，助您快速实现性能目标。

• 型号:PD85015STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:16dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:15W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD85015STR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。