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还在寻找一颗能在100V应用中兼顾高效与可靠的功率开关吗？STS4NF100正是为您而来的解决方案。这颗采用STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有4A的连续漏极电流能力和低至70毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它让您轻松驾驭高达100V的电压平台，其优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速的开关响应，帮助提升系统整体频率和能效。采用紧凑的8-SO表面贴装封装，非常适合空间受限的现代电子设计，助力您打造出性能强劲且体积精巧的终端产品。

• 型号:STS4NF100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS4NF100，ST（意法半导体）产品一站式供应商。