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您正在设计需要处理高电压、大电流的电源或电机控制系统吗？STW27NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和21A的连续电流处理能力，能轻松担当起系统主功率开关的重任。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻显著减少了功率损耗，帮助系统提升能效，降低发热。TO-247的坚固封装和优异的散热特性，确保它在高功率应用中也能稳定运行。无论是驱动电机还是构建高效的电源拓扑，它都能让您的产品性能表现更加出众。

• 型号:STW27NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW27NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。