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还在为高压开关应用的效率与发热问题烦恼吗？STB14NM65N正是您期待的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET拥有650V的高耐压和12A的强大电流处理能力，核心使命就是让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它采用ST先进的MDmesh II技术，成功将导通电阻与栅极电荷优化至更低水平。这意味着它能显著降低开关损耗和传导损耗，直接提升您的整机效率，并有效控制温升。其坚固的D2PAK封装和高达125W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏。

• 型号:STB14NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB14NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。