我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP3NB100现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压电路中的开关器件选型而权衡利弊吗？让STP3NB100来为您提供清晰有力的答案。这颗采用先进PowerMESH技术的N沟道MOSFET，是您攻克1000V高压应用的得力助手。

它能让您轻松驾驭高达3A的连续电流，其优化的导通电阻与栅极电荷特性，确保了高效的电能转换与快速的开关响应。这意味着您的电源、电机驱动或照明系统不仅能稳定运行于高压之下，更能实现更低的能量损耗与更优的温升控制。

采用坚固的TO-220AB封装，散热性能优异，结温高达150°C，保障了其在严苛环境下的长期可靠性。选择它，就是为您的核心功率电路选择了一份经过验证的稳健与高效。

• 型号:STP3NB100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3NB100，ST（意法半导体）产品一站式供应商。