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您正在设计需要处理高压大电流的电源或驱动系统吗？STW23N85K5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达850V的耐压和19A的电流处理能力，能轻松应对严苛的工业环境，让您的系统主功率回路既坚固又高效。

它的核心价值在于极低的导通损耗和优异的开关特性。仅275毫欧的最大导通电阻，意味着电能传输过程中的热量产生更少，效率显著提升。同时，优化的栅极电荷让驱动变得更简单、更快速，帮助您减少开关损耗，提升整体系统频率和功率密度。无论是用于开关电源、电机控制还是光伏逆变器，它都能让您的设计更稳定、更紧凑，性能表现脱颖而出。

• 型号:STW23N85K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 850V 19A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:850 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:275 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW23N85K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。