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还在为高压应用中的效率损失和散热设计头疼吗？SCT30N120H正是为您破解这些难题而生。这颗由ST意法半导体推出的1200V/40A SiC MOSFET，集成了碳化硅材料的全部优势，旨在让您的电源和电机驱动系统运行得更快、更冷、更高效。

它能让您轻松驾驭高压平台，其极低的导通电阻（仅100mΩ）和超快的开关速度，直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，显著提升系统整体能效。同时，高达200°C的结温工作能力和卓越的封装散热性能，让您的产品设计拥有更大的余量和更高的可靠性。选择SCT30N120H，就是选择用更少的能源损耗、更小的散热器体积和更简化的电路设计，来实现更强大的功率输出与更持久的稳定运行。

• 型号:SCT30N120H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:270W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• SCT30N120H，ST（意法半导体）产品一站式供应商。