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您是否正在寻找一颗能同时征服高功率与高效率的功率开关？STH315N10F7-6正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET VII技术，集成了180A的强悍电流承载能力与低至2.3毫欧的导通电阻，让您能够轻松驾驭100V电压平台下的高功率应用，同时将传导损耗大幅降低，直接提升系统整体能效。

这颗芯片专为严苛环境设计，通过了汽车级AEC-Q101认证，工作结温高达175°C，确保在汽车电驱、工业电源等关键场景中的长期稳定运行。其优化的H2PAK-6封装和低栅极电荷特性，让您的驱动电路设计更简单，开关更迅捷，助力实现更高功率密度和更紧凑的系统布局。选择它，就是选择了一条通往高效、可靠功率管理的捷径。

• 型号:STH315N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH315N10F7-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。