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还在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时又兼顾高效与可靠的功率开关吗？STW21NM60N正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和17A的强大电流处理能力，其核心使命就是让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它通过将导通电阻（Rds(on)）降至仅220毫欧，显著降低了导通损耗，直接提升系统能效，让您轻松应对严格的能效法规。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让驱动设计更简单，开关速度更快，进一步减少能量损失。无论是用于工业电源、UPS不间断电源还是电机控制，它都能以卓越的性能和TO-247封装的坚固可靠性，确保您系统的持久稳定动力。

• 型号:STW21NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW21NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。