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您正在为高压应用寻找一颗既强健又高效的“心脏”吗？STB8N65M5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和7A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等场景中的高压挑战。

它的核心价值在于让您的系统运行得更“冷静”、更节能。极低的导通电阻大幅减少了导通损耗，而优化的栅极电荷确保了快速、干净的开关，显著提升整体效率。采用坚固的D2PAK封装，散热能力出众，工作结温高达150°C，为您产品的长期稳定运行保驾护航。

• 型号:STB8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB8N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。