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您正在为高功率应用寻找一颗既强悍又高效的“心脏”吗？STW20NM50FD正是为您而来。这颗采用先进FDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有500V高压和20A大电流的通流能力，能轻松驾驭服务器电源、工业驱动等严苛场景，让您的系统动力澎湃，运行稳定。

它的卓越之处在于极致的高效。仅250毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，将更多电能转化为有效输出，而非热量。同时，优化的开关特性让您能设计出更简洁、响应更快的驱动电路。这一切，都旨在让您以更低的系统复杂度和散热成本，实现更高的功率密度与能源效率，全面提升产品竞争力。

• 型号:STW20NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NM50FD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。