我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW20N95K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压大电流应用的效率与发热问题烦恼吗？让STW20N95K5来为您解决！这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有950V的惊人耐压和17.5A的连续电流能力，却能将导通电阻控制在极低的330毫欧。这意味着它能让您的电源或电机驱动系统以更低的损耗运行，直接提升整体能效，并显著降低散热需求。

更令人惊喜的是，其优化的栅极电荷（仅40nC）和输入电容，让开关过程更快、更干净，从而减少开关损耗和噪声干扰。无论是设计工业电源、新能源逆变器还是高端充电设备，STW20N95K5都能让您轻松实现高效、紧凑且可靠的设计方案，助您的产品在性能与成本之间找到完美平衡点。

• 型号:STW20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。